IPW65R041CFDFKSA1英飞凌650V沟槽mosfet TO247

IPW65R041CFDFKSA1英飞凌第二代shichanglingxian高压 CoolMOS™ MOSFET，具有集成快速体二极管。CFD2 器件是 600V CFD 后续产品，能效进一步提升。更软的换向行为以及更youxiu的电磁干扰行为，使这款产品比竞争产品明显更具优势。

特征描述

• 采用 650V 技术并集成快速体二极管

• 硬换向期间限制电压过冲

• 与 600V CFD 技术相比，Qg 显著降低

• 更窄的 RDS(on) Zui大值到 RDS(on) 典型值窗口

• 设计导入容易

• 与 600V CFD 技术相比，价格更低

优势

• 体二极管重复换向时 Qrr 低，从而降低开关损耗

• 自限制 di/dt 和 dv/dt

• 低 Qoss

• 减少导通和关断延迟时间

• 出色的 CoolMOS™ 质量

应用领域：

48V 配电

DIN Rail Power Supply

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