IPW65R041CFDFKSA1英飞凌第二代shichanglingxian高压 CoolMOS™ MOSFET，具有集成快速体二极管。CFD2 器件是 600V CFD 后续产品，能效进一步提升。更软的换向行为以及更youxiu的电磁干扰行为，使这款产品比竞争产品明显更具优势。

特征描述

采用 650V 技术并集成快速体二极管

硬换向期间限制电压过冲

与 600V CFD 技术相比，Qg 显著降低

更窄的 RDS(on) Zui大值到 RDS(on) 典型值窗口

设计导入容易

与 600V CFD 技术相比，价格更低

优势

体二极管重复换向时 Qrr 低，从而降低开关损耗

自限制 di/dt 和 dv/dt

低 Qoss

减少导通和关断延迟时间

出色的 CoolMOS™ 质量

应用领域：

48V 配电

DIN Rail Power Supply

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