电力电子在当今世界无处不在：半导体的隐藏功能，可实现广泛应用，从家电和消费品到数据处理和无线网络，再到日趋电子化的汽车。电力电子系统以极高能效在交流和直流形式之间以及直流电压之间转换电力，从而使更多的电能流向Zui终应用。电源转换的主要动力是开关：功率MOSFET、IGBT、宽禁带(WBG)半导体器件、SiC MOSFET和氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。在大多数拓扑中，这些晶体管以kHz至MHz的频率开和关。

这就是用到门极驱动器的地方。每个开关都有一个门。门极电压控制开关是打开还是关断。门极驱动器用于控制电源开关的门极电压，但比这复杂得多。

门极驱动器的核心功能是：1）放大来自控制器的逻辑（开/关）信号，以提供足够的驱动电流，以所需的速度导通或关断晶体管，以及2）提供从逻辑到门极，特别是高边晶体管的电平转换。更多功能可包括直通保护，欠压和过压锁定，过流检测，去饱和检测和电气隔离。门极驱动器的选择会影响能效，可靠性，安全性和方案尺寸。

MOSFET栅极驱动器是高速、大电流栅极驱动器，专门设计用于驱动D类和E类射频应用中的MOSFET。这些栅极驱动器还非常适合用于任何需要超快上升和下降时间，或Zui短脉冲宽度的应用。这些MOSFET栅极驱动器在整个工作范围内均不受闩锁影响，其独特设计几乎可消除交叉传导和电流击穿。这些表面贴装型MOSFET栅极驱动器采用低电感射频封装和先进的布局技术，可Zui大限度地减少杂散电感，从而实现开关性能。

门极驱动功能也集成到控制器中，用于电机控制,PFC或LED照明等应用。门极驱动器可以采用单、双、高-低、半桥、H桥、甚至三相逆变器拓扑等。

产品类别:MOSFET/IGBT门极驱动器;(IGBT管 高压门极驱动,MOSFET高低压门极驱动,GaN器件门极驱动,Sic器件门极驱动)